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TK16G60W,RVQ /MOSFET DTMOSIV 600V 190mOhm 15.8A 130W 1350pF
TK16G60W,RVQ的规格信息
TK16G60W,RVQ的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Toshiba

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-262-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:600 V

Id-连续漏极电流:15.8 A

Rds On-漏源导通电阻:190 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:3.7 V

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

Qg-栅极电荷:38 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:130 W

配置:Single

商标名:DTMOSIV

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:10.4 mm

长度:10 mm

系列:TK16G60W

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:4.5 mm

商标:Toshiba

下降时间:5 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:25 ns

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:100 ns

典型接通延迟时间:50 ns

单位重量:4 g

供应商TK16G60W,RVQ
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深圳市瑞浩芯科技有限公司TK16G60W,RVQ深圳市福田区上步工业区501栋11030755-84875764
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TK16G60W,RVQ的全球分销商及价格
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Digi-Key 得捷电子
TK16G60W,RVQToshiba America Electronic Components, Inc.FET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET DTMOSIV 600V 190mOhm 15.8A 130W 1350pF1000+:¥15.8799
2000+:¥15.09
5000+:¥14.5201
10000+:¥14.06
25000+:¥13.62
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Digi-Key 得捷电子
TK16G60W,RVQToshiba Semiconductor and StorageMOSFET N CH 600V 15.8A D2PAKActive
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Mouser 贸泽电子
TK16G60W,RVQToshibaMOSFET DTMOSIV 600V 190mOhm 15.8A 130W 1350pF1:¥42.8722
10:¥34.4198
100:¥31.4253
250:¥28.3517
1,000:¥21.4361
2,000:查看
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Mouser 贸泽电子
TK16G60W,RVQToshiba America Electronic Components, Inc.FET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET DTMOSIV 600V 190mOhm 15.8A 130W 1350pF1000+:¥15.8799
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25000+:¥13.621+:¥25.2599
10+:¥22.61
100+:¥18.47
250+:¥16.81
500+:¥16.81
800+:¥16.0499
1600+:¥15.44
4800+:¥14.98
9600+:¥14.78