制造商:Toshiba

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-262-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:600 V

Id-连续漏极电流:15.8 A

Rds On-漏源导通电阻:160 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:3.7 V

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

Qg-栅极电荷:38 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:130 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:DTMOSIV

高度:10.4 mm

长度:10 mm

系列:TK16C60W

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:4.5 mm

商标:Toshiba

下降时间:5 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:25 ns

工厂包装数量:50

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:100 ns

典型接通延迟时间:50 ns

单位重量:2.387 g