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TK160F10N1L,LXGQ /MOSFET N-CH 100V 160A TO220SM
TK160F10N1L,LXGQ的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

SeriesU-MOSVIII-H

PackageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®

FET TypeN-Channel

TechnologyMOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)100 V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C160A (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs2.4mOhm @ 80A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id3.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs122 nC @ 10 V

Vgs (Max)±20V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds10100 pF @ 10 V

FET Feature-

Power Dissipation (Max)375W (Tc)

Operating Temperature175°C

Mounting TypeSurface Mount

Supplier Device PackageTO-220SM(W)

Package / CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供应商TK160F10N1L,LXGQ
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