SW4N70D
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):4A(Tc) 漏源电压(Vdss):700V 栅源极阈值电压:4.5V @ 250uA 漏源导通电阻:2.7Ω @ 2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):22.7W(Tc) 类型:N沟道
SW4N70D的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)700V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)4A(Tc)
栅源极阈值电压4.5V @ 250uA
漏源导通电阻2.7Ω @ 2A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)22.7W(Tc)
类型N沟道
SW4N70D
SW4N70D的全球分销商及价格
销售商 | 型号 | 制造商 | 功能描述 | 价格 |
 立创商城 | SW4N70D | Samwin (芯派) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):4A(Tc) 漏源电压(Vdss):700V 栅源极阈值电压:4.5V @ 250uA 漏源导通电阻:2.7Ω @ 2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):22.7W(Tc) 类型:N沟道 | 1+:¥1.546 10+:¥1.1382 30+:¥1.0633 100+:¥0.9884 500+:¥0.9551 1000+:¥0.9386
|