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SW47N65K2 /连续漏极电流(Id)(25°C 时):47A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4.5V @ 250uA 漏源导通电阻:72mΩ @ 23A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):338W(Tc) 类型:N沟道
SW47N65K2的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)650V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)47A(Tc)

栅源极阈值电压4.5V @ 250uA

漏源导通电阻72mΩ @ 23A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)338W(Tc)

类型N沟道

供应商SW47N65K2
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SW47N65K2连续漏极电流(Id)(25°C 时):47A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4.5V @ 250uA 漏源导通电阻:72mΩ @ 23A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):338W(Tc) 类型:N沟道Samwin (芯派)Samwin (芯派)的LOGO810.51 Kbytes共6页SW47N65K2的PDF下载地址
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SW47N65K2Samwin (芯派)连续漏极电流(Id)(25°C 时):47A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4.5V @ 250uA 漏源导通电阻:72mΩ @ 23A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):338W(Tc) 类型:N沟道1+:¥19.98
10+:¥17.29
30+:¥16.8
100+:¥16.3
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