SW4N60的供应商，SW4N60规格参数，SW4N60的PDF资料

SW4N60 /连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：2.2Ω @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：147W(Tc) 类型：N沟道

SW4N60的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

商品类型MOS(场效应管)

漏源电压（Vdss）600V

连续漏极电流（Id）（25°C 时）4A(Tc)

栅源极阈值电压4.5V @ 250uA

漏源导通电阻2.2Ω @ 2A,10V

最大功率耗散（Ta=25°C）147W(Tc)

类型N沟道

SW4N60

SW4N60的供应商,可免费索样

SW4N60及相关型号的PDF资料

型号	功能描述	生产厂商	PDF大小	PDF页数	相关型号
SW4N60	N-channel MOSFET	SEMIPOWER[Xian Semipower Electronic Technology Co., Ltd.]	377.03 Kbytes	共5页	无
SW4N60B	N-channel I-PAK/D-PAK/TO-220F MOSFET	SEMIPOWER[Xian Semipower Electronic Technology Co., Ltd.]	946.27 Kbytes	共7页	无
SW4N60D	N-channel TO-220F/I-PAKN/D-PAK MOSFET	SEMIPOWER[Xian Semipower Electronic Technology Co., Ltd.]	682.69 Kbytes	共6页	无
SW4N60DA	N-channel Enhanced mode TO-252/TO-220F/TO-251S MOSFET	SEMIPOWER[Xian Semipower Electronic Technology Co., Ltd.]	877.47 Kbytes	共7页	无
SW4N60DC	N-channel Enhancement mode TO-251/TO-252MOSFET	SEMIPOWER[Xian Semipower Electronic Technology Co., Ltd.]	638.77 Kbytes	共6页	无
SW4N60K	N-channel TO-220F/I-PAK/D-PAK MOSFET	SEMIPOWER[Xian Semipower Electronic Technology Co., Ltd.]	678.62 Kbytes	共6页	无

SW4N60的全球分销商及价格

销售商	型号	制造商	功能描述	价格
立创商城	SW4N60	Samwin (芯派)	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：2.2Ω @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：147W(Tc) 类型：N沟道	1+:￥1.3165 10+:￥0.9866 30+:￥0.926 100+:￥0.8654 500+:￥0.8385 1000+:￥0.8252

SW4N60的相关型号