SW4N65的供应商，SW4N65规格参数，SW4N65的PDF资料

SW4N65 /连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：2.6Ω @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：167W(Tc) 类型：N沟道

SW4N65的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

商品类型MOS(场效应管)

漏源电压（Vdss）650V

连续漏极电流（Id）（25°C 时）4A(Tc)

栅源极阈值电压4.5V @ 250uA

漏源导通电阻2.6Ω @ 2A,10V

最大功率耗散（Ta=25°C）167W(Tc)

类型N沟道

SW4N65

SW4N65的供应商,可免费索样

供应商	型号	地址	联系电话	联系人	询价
深圳市坤融电子有限公司	SW4N65	航都大厦10I	0755-23990975 17318082080，13510287235	肖瑶，树平	询价
深圳市芯幂科技有限公司	SW4N65	深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦2405	13267088774 (微信同号)	Alien	询价
集好芯城	SW4N65	深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼	0755-23903180 13360063783	杨先生	询价
芯莱德电子（香港）有限公司	SW4N65	深圳市福田区航都大厦10L	13352985419 13352985419，19076157484	杨先生	询价
深圳市宇浩扬科技有限公司	SW4N65	深圳市福田区华强北上步工业区201栋316	0755-83223003 13826514222	余先生，张先生	询价
深圳市科思奇电子科技有限公司	SW4N65	上步工业区501栋1109-1110	0755-83245050 18923762408 “13538131418”	张小姐	询价
万三科技（深圳）有限公司	SW4N65	深圳市龙华区民治街道新牛社区金地梅陇镇9栋4单元14C	0755-23763516，18818598465 18818598465	王俊杰	询价
深圳市金华微盛电子有限公司	SW4N65	深圳市福田区中航路新亚洲2期N4A131	13510157626 13510157626	柯小姐	询价
深圳市前海天电子科技有限公司	SW4N65	赛格科技园101栋320	0755-84488894 18926782541	陈生	询价

SW4N65及相关型号的PDF资料

型号	功能描述	生产厂商	PDF大小	PDF页数	相关型号
SW4N65	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：2.6Ω @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：167W(Tc) 类型：N沟道	Samwin (芯派)	1016.29 Kbytes	共8页	无
SW4N65DA	N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-251N/TO-252/TO-251NX-S4 MOSFET	SEMIPOWER[Xian Semipower Electronic Technology Co., Ltd.]	735.64 Kbytes	共6页	无
SW4N65DB	N-channel Enhanced mode TO-251 MOSFET	SEMIPOWER[Xian Semipower Electronic Technology Co., Ltd.]	768.01 Kbytes	共6页	无
SW4N65DC	N-channel Enhanced mode TO-251/TO-251N-S2 MOSFET	SEMIPOWER[Xian Semipower Electronic Technology Co., Ltd.]	577.16 Kbytes	共6页	无
SW4N65DD	N-channel Enhanced mode TO-251N/TO-251N-S2/TO-220F/TO-220SF MOSFET	SEMIPOWER[Xian Semipower Electronic Technology Co., Ltd.]	725.44 Kbytes	共6页	无
SW4N65K2	N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-251N/TO-252 MOSFET	SEMIPOWER[Xian Semipower Electronic Technology Co., Ltd.]	780.62 Kbytes	共6页	无

SW4N65的全球分销商及价格

销售商	型号	制造商	功能描述	价格
立创商城	SW4N65	Samwin (芯派)	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：2.6Ω @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：167W(Tc) 类型：N沟道	1+:￥1.4855 10+:￥1.1057 30+:￥1.0359 100+:￥0.9662 500+:￥0.9351 1000+:￥0.9198

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