SVF7N65CMJ
/连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：1.4Ω @ 3.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：90W(Tc) 类型：N沟道
SVF7N65CMJ的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）650V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）7A(Tc)
栅源极阈值电压4V @ 250uA
漏源导通电阻1.4Ω @ 3.5A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）90W(Tc)
类型N沟道
SVF7N65CMJ
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| SVF7N65CMJ | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：1.4Ω @ 3.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：90W(Tc) 类型：N沟道 | SILAN(士兰微) |  | 626.37 Kbytes | 共10页 |  | 无 |
SVF7N65CMJ的全球分销商及价格
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立创商城 | SVF7N65CMJ | SILAN(士兰微) | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：1.4Ω @ 3.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：90W(Tc) 类型：N沟道 | 1+:￥1.597
10+:￥1.2121
30+:￥1.1415
100+:￥1.0708
500+:￥1.0394
1000+:￥1.0238
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