SVF7N65CF
/连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：1.4Ω @ 3.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：46W(Tc) 类型：N沟道
SVF7N65CF的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）650V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）7A(Tc)
栅源极阈值电压4V @ 250uA
漏源导通电阻1.4Ω @ 3.5A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）46W(Tc)
类型N沟道
SVF7N65CF
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| SVF7N65CF | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：1.4Ω @ 3.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：46W(Tc) 类型：N沟道 | SILAN(士兰微) |  | 641.48 Kbytes | 共12页 |  | 无 |
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10+:￥1.2859
30+:￥1.2032
100+:￥1.1206
500+:￥1.0839
1000+:￥1.0657
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