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SVF7N65CD /连续漏极电流(Id)(25°C 时):7A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:1.4Ω @ 3.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):89W(Tc) 类型:N沟道
SVF7N65CD的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)650V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)7A(Tc)

栅源极阈值电压4V @ 250uA

漏源导通电阻1.4Ω @ 3.5A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)89W(Tc)

类型N沟道

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SVF7N65CD连续漏极电流(Id)(25°C 时):7A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:1.4Ω @ 3.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):89W(Tc) 类型:N沟道SILAN(士兰微)SILAN(士兰微)的LOGO641.48 Kbytes共12页SVF7N65CD的PDF下载地址
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SVF7N65CDSILAN(士兰微)连续漏极电流(Id)(25°C 时):7A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:1.4Ω @ 3.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):89W(Tc) 类型:N沟道1+:¥1.6012
10+:¥1.1564
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