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SVF740T /连续漏极电流(Id)(25°C 时):10A(Tc) 漏源电压(Vdss):400V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:600mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):130W(Tc) 类型:N沟道
SVF740T的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)400V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)10A(Tc)

栅源极阈值电压4V @ 250uA

漏源导通电阻600mΩ @ 5A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)130W(Tc)

类型N沟道

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SVF740T连续漏极电流(Id)(25°C 时):10A(Tc) 漏源电压(Vdss):400V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:600mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):130W(Tc) 类型:N沟道SILAN(士兰微)SILAN(士兰微)的LOGO468.16 Kbytes共7页SVF740T的PDF下载地址
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SVF740TSILAN(士兰微)连续漏极电流(Id)(25°C 时):10A(Tc) 漏源电压(Vdss):400V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:600mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):130W(Tc) 类型:N沟道1+:¥1.6635
10+:¥1.1949
30+:¥1.1089
100+:¥1.0228
500+:¥0.9846
1000+:¥0.9657