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SVD640T /连续漏极电流（Id）（25°C 时）：18A(Tc) 漏源电压（Vdss）：200V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：150mΩ @ 9A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：150W(Tc) 类型：N沟道

SVD640T的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

商品类型MOS(场效应管)

漏源电压（Vdss）200V

连续漏极电流（Id）（25°C 时）18A(Tc)

栅源极阈值电压4V @ 250uA

漏源导通电阻150mΩ @ 9A,10V

最大功率耗散（Ta=25°C）150W(Tc)

类型N沟道

SVD640T

SVD640T的供应商,可免费索样

供应商	型号	地址	联系电话	联系人	询价
集好芯城	SVD640T	深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼	0755-23903180 13360063783	杨先生	询价
深圳市芯幂科技有限公司	SVD640T	深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦2405	13267088774 (微信同号)	Alien	询价
深圳市宇浩扬科技有限公司	SVD640T	深圳市福田区华强北上步工业区201栋316	0755-83223003 13826514222	余先生，张先生	询价
万三科技（深圳）有限公司	SVD640T	深圳市龙华区民治街道新牛社区金地梅陇镇9栋4单元14C	0755-21006672 18188642307	王小康	询价
深圳市博浩通科技有限公司	SVD640T	华强北宝华大厦A座808	0755-82811430，0755-82818091 15989349634，13798567707	朱丽娜	询价
苏州芯华胜半导体科技有限公司	SVD640T	江苏省苏州市虎丘区高新浒关工业园汇融广场20楼	4006515758 15366223933	向翱	询价

SVD640T及相关型号的PDF资料

型号	功能描述	生产厂商	厂商LOGO	PDF大小	PDF页数	下载地址	相关型号
SVD640T	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：18A(Tc) 漏源电压（Vdss）：200V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：150mΩ @ 9A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：150W(Tc) 类型：N沟道	SILAN(士兰微)		539.55 Kbytes	共8页		无

SVD640T的全球分销商及价格

销售商	型号	制造商	功能描述	价格
立创商城	SVD640T	SILAN(士兰微)	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：18A(Tc) 漏源电压（Vdss）：200V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：150mΩ @ 9A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：150W(Tc) 类型：N沟道	1+:￥2.16 10+:￥1.56 30+:￥1.45 100+:￥1.34 500+:￥1.29 1000+:￥1.27

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