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商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)30mA(Tc)
栅源极阈值电压1V @ 8uA
漏源导通电阻700Ω @ 3mA,0V
最大功率耗散(Ta=25°C)800mW(Tc)
类型N沟道