FET类型：N 沟道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：60V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：10A（Ta），46A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：2V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：29nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：1400pF @ 25V
Vgs（最大值）：±20V
功率耗散（最大值）：3.1W（Ta），71W（Tc）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：16 毫欧 @ 19A，10V
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs