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SVD5804NT4G /MOSFET NFET 40V SPCL TR
SVD5804NT4G的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-252-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:40 V

Id-连续漏极电流:69 A

Rds On-漏源导通电阻:5.7 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:45 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:71 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

系列:NVD5804N

晶体管类型:1 N-Channel

商标:ON Semiconductor

正向跨导 - 最小值:12 S

下降时间:5.9 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:18.7 ns

工厂包装数量:2500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:26.8 ns

典型接通延迟时间:11.8 ns

零件号别名:SSVD5804NT4G

单位重量:4 g

供应商SVD5804NT4G
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”13725596657“17503034873
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