FET 类型N 沟道

技术MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）75V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）90A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）4.5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）115nC

电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs10V

Vgs（最大值）±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）4620pF

电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds30V

功率耗散（最大值）3.75W（Ta），272W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）6.2 毫欧 @ 20A，10V

工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型表面贴装

供应商器件封装TO-263（D2Pak）

封装/外壳TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

无铅情况/RoHs无铅/符合RoHs