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SUD50NP04-62-T4-E3 /MOSFET 40V 8.0A 15.6/23.5W 30/32mohm @ 10V
SUD50NP04-62-T4-E3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

产品种类:MOSFET

晶体管极性:N and P-Channel

汲极/源极击穿电压:40 V

闸/源击穿电压:+/- 16 V

漏极连续电流:8 A

导通电阻:30 mOhms at N Channel, 32 mOhms at P Channel

配置:Dual Common Drain

最大工作温度:+ 150 C

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:DPAK

封装:Reel

商标:Vishay / Siliconix

下降时间:56 ns, 50 ns

最小工作温度:- 55 C

功率耗散:6 W, 6.7 W

上升时间:75 ns, 106 ns

工厂包装数量:2000

典型关闭延迟时间:40 ns, 51 ns

ROHS: 含铅

供应商SUD50NP04-62-T4-E3
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SUD50NP04-62-T4-E3Vishay / SiliconixMOSFET 40V 8.0A 15.6/23.5W 30/32mohm @ 10V2,500:¥5.5031
5,000:¥5.2997
10,000:¥5.0963