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STW70N60M2 /MOSFET N-CH 600V 0.031Ohm typ. 68A MDmesh M2
STW70N60M2的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-247-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:600 V

Id-连续漏极电流:68 A

Rds On-漏源导通电阻:30 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:3 V

Vgs - 栅极-源极电压:25 V

Qg-栅极电荷:118 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:450 W

配置:Single

商标名:MDmesh

封装:Tube

系列:STW70N60M2

晶体管类型:1 N-Channel

商标:STMicroelectronics

下降时间:9 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:17 ns

工厂包装数量:600

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:155 ns

典型接通延迟时间:32 ns

单位重量:38 g

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STW70N60M2-4STMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 68A TO247$7.17500
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Mouser 贸泽电子
STW70N60M2-4STMicroelectronicsMOSFET N-channel 600 V, 0.031 Ohm typ., 68 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO247-4 package1:¥89.5977
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Verical
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立创商城
STW70N60M2ST(意法半导体)连续漏极电流(Id)(25°C 时):68A(Tc) 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:40mΩ @ 34A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):450W(Tc) 类型:N沟道1+:¥101.67
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STW70N60M2-4ST(意法半导体)MOS(场效应管)1+:¥47.45
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