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STW62N65M5 /MOSFET N-Ch 650V 46A Auto 0.041 Ohm MDMesh M5
STW62N65M5的规格信息
STW62N65M5的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-247-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:710 V

Id-连续漏极电流:46 A

Rds On-漏源导通电阻:41 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:4 V

Vgs - 栅极-源极电压:25 V

Qg-栅极电荷:142 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:330 W

配置:Single

资格:AEC-Q101

商标名:MDmesh

封装:Tube

系列:STW62N65M5

晶体管类型:1 N-Channel

商标:STMicroelectronics

下降时间:14 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:11 ns

工厂包装数量:600

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:8 ns

典型接通延迟时间:101 ns

单位重量:38 g

供应商STW62N65M5
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深圳市斌腾达科技有限公司STW62N65M5深圳市福田区华强北上步工业区501栋5180755-82815082
13049883113
赵小姐Email:zhujunbin163@163.com询价
深圳市芯幂科技有限公司STW62N65M5深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司STW62N65M5深圳市福田区航都大厦25F0755-83289799
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深圳市坤融电子有限公司STW62N65M5航都大厦10I0755-23990975
17318082080,13510287235
肖瑶,树平Email:hzk@krchips.com询价
深圳市鑫智腾创科技有限公司STW62N65M5深圳市福田区红荔路上航大厦西座410-813066809747
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李小姐Email:xiegp12@163.com询价
深圳市河锋鑫科技有限公司STW62N65M5华强北都会轩26010755-23903154
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深圳和润天下电子科技有限公司STW62N65M5深港合作区前湾一路1号A栋201室13378422395,19129491930蔡经理,张小姐Email:1139848500@qq.com询价
深圳市天卓伟业电子有限公司STW62N65M5深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
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深圳瀚顺芯电子科技有限公司STW62N65M5深圳市福田区福田街道皇岗社区吉龙一村26栋801室18927111567Email:1585681270@qq.com询价
深圳市亿鸿丰电子科技有限公司STW62N65M5广东省深圳市华康大夏2栋210-219室0755-82714723
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谢先生Email:3003989381@qq.com询价
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深圳市佳威星科技有限公司STW62N65M5深圳市福田区华强北路现代之窗B座28C0755-83045910
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深圳市芯泽盛世科技有限公司STW62N65M5龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋18220755-89697985
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深圳市高捷芯城科技有限公司STW62N65M5深圳市福田区航都大厦10B13352985419
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深圳诚思涵科技有限公司STW62N65M5深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室0755-23947236/83015506
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曾小姐Email:2748708193@qq.com询价
深圳市全秀电子有限公司STW62N65M5东久创新科技园6栋12楼整层13129599479
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深圳市浩睿泽电子科技有限公司STW62N65M5深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
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STW62N65M5连续漏极电流(Id)(25°C 时):46A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:5V @ 250uA 漏源导通电阻:49mΩ @ 23A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):330W(Tc) 类型:N沟道ST(意法半导体)ST(意法半导体)的LOGO894.57 Kbytes共14页STW62N65M5的PDF下载地址
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STW62N65M5STMicroelectronicsFET - 单 MDmesh? V 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Ch 650V 46A Auto 0.041 Ohm MDMesh V1+:¥102.6299
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Digi-Key 得捷电子
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Future(富昌)
STW62N65M5STMicroelectronicsFET - 单 MDmesh? V 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Ch 650V 46A Auto 0.041 Ohm MDMesh V1+:¥102.6299
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25+:¥86.33
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Mouser 贸泽电子
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元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子
STW62N65M5STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 650V 46A Auto 0.041 Ohm MDMesh M51:¥103.508
10:¥95.2025
25:¥91.2136
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RS(欧时)
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600+:¥108.11
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Verical
STW62N65M5STMicroelectronicsFET - 单 MDmesh? V 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Ch 650V 46A Auto 0.041 Ohm MDMesh V1+:¥102.6299
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立创商城
STW62N65M5ST(意法半导体)连续漏极电流(Id)(25°C 时):46A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:5V @ 250uA 漏源导通电阻:49mΩ @ 23A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):330W(Tc) 类型:N沟道1+:¥109.84
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