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STW70N60DM2 /MOSFET N-channel 600 V, 0.032 Ohm typ., 67 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-247 package
STW70N60DM2的规格信息
STW70N60DM2的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-247-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:600 V

Id-连续漏极电流:66 A

Rds On-漏源导通电阻:42 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:3 V

Vgs - 栅极-源极电压:25 V

Qg-栅极电荷:121 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:446 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:MDmesh

系列:STW70N60DM2

商标:STMicroelectronics

下降时间:10.4 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:67 ns

工厂包装数量:600

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:112 ns

典型接通延迟时间:32 ns

单位重量:38 g

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STW70N60DM2STMicroelectronicsMOSFET N-channel 600 V, 0.032 Ohm typ., 67 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-247 package1:¥76.7609
10:¥69.382
25:¥66.1615
100:¥57.404
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STW70N60DM2ST(意法半导体)连续漏极电流(Id)(25°C 时):66A(Tc) 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:5V @ 250uA 漏源导通电阻:42mΩ @ 33A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):446W(Tc) 类型:N沟道1+:¥53.47
10+:¥47.76
30+:¥46.86
100+:¥45.5