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STS4DNF60 /STMicroelectronics/分立半导体产品
STS4DNF60的规格信息
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图像仅供参考，请参阅规格书

标准包装：2,500

类别：分立半导体产品

家庭：FET - 阵列

系列：STripFET??

包装：带卷（TR）

FET 类型：2 个 N 沟道（双）

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压（Vdss）：60V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：4A

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：90 毫欧 @ 2A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：10nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：315pF @ 25V

功率 - 最大值：2W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商器件封装：8-SO

其它名称：497-8041-2STS4DNF60-ND

供应商STS4DNF60
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深圳市坤融电子有限公司STS4DNF60航都大厦10I0755-23990975
13926529829，17318082080		肖瑶，树平Email:hzk@krchips.com询价
深圳市芯幂科技有限公司STS4DNF60深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774
13267088774 (微信同号)		Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
集好芯城STS4DNF60深圳市福田区航都大厦25F4008626627
13360071553		陈泽辉Email:sam@678ic.com询价
深圳市辰芯伟业科技有限公司STS4DNF60L华强北路新华强广场B座27D0755-83238360
13603072128		陈Email:517368904@qq.com询价
深圳市佳威星科技有限公司STS4DNF60L深圳市福田区华强北路现代之窗B座28C0755-83045910
13724343501		胡小姐Email:jiaweixingic@126.com询价
芯莱德电子（香港）有限公司STS4DNF60L深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419，19076157484		杨先生Email:2881915365@qq.com询价
集好芯城STS4DNF60深圳市福田区航都大厦25F0755-82564006
13310061703		傅小姐Email:sam@678ic.com询价
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深圳市辉华拓展电子有限公司STS4DNF60深圳市福田区航都大厦25F0755-82790891
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深圳市高捷芯城科技有限公司STS4DNF60L深圳市福田区航都大厦10B13352985419
13352985419		木易Email:2881915365@qq.com询价
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18126442734		梁小姐Email:dandan@bychip.cn询价
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深圳市浩睿泽电子科技有限公司STS4DNF60L深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
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深圳市斌腾达科技有限公司STS4DNF60深圳市福田区华强北上步工业区501栋5180755-82815082
13049883113		赵小姐Email:zhujunbin163@163.com询价
深圳市凌特半导体科技有限公司STS4DNF60广东省深圳市华康大夏2栋210-219室0755-82714723
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深圳瀚顺芯电子科技有限公司STS4DNF60L深圳市福田区福田街道皇岗社区吉龙一村26栋801室18927111567黄Email:1585681270@qq.com询价
STS4DNF60及相关型号的PDF资料
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STS4DNF60MOSFET 2N-CH 60V 4A 8SOICSTMicroelectronicsSTMicroelectronics的LOGO324.52 Kbytes共12页STS4DNF60的PDF下载地址无
STS4DNF60LDual N-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFET VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]的LOGO1089.19 Kbytes共9页STS4DNF60L的PDF下载地址无
STS4DNF60的全球分销商及价格
销售商型号制造商功能描述价格
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Am2		STS4DNF60STMicroelectronicsFET - 阵列 STripFET?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Ch 60 Volt 4 Amp2500+:￥4.71
5000+:￥4.53
7500+:￥4.371+:￥8.61
10+:￥6.96
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7500+:￥2.82500+:￥1.512500+:￥1.811+:￥2.15
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Am2		STS4DNF60LSTMicroelectronicsFET - 阵列 STripFET?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Ch 60 Volt 4 Amp2500+:￥4.71
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ChipOneStop		STS4DNF60STMicroelectronicsFET - 阵列 STripFET?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Ch 60 Volt 4 Amp2500+:￥4.71
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ChipOneStop		STS4DNF60LSTMicroelectronicsFET - 阵列 STripFET?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Ch 60 Volt 4 Amp2500+:￥4.71
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Digi-Key 得捷电子		STS4DNF60STMicroelectronicsMOSFET 2N-CH 60V 4A 8SOICObsolete
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Digi-Key 得捷电子		STS4DNF60STMicroelectronicsFET - 阵列 STripFET?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Ch 60 Volt 4 Amp2500+:￥4.71
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Digi-Key 得捷电子		STS4DNF60LSTMicroelectronicsMOSFET 2N-CH 60V 4A 8-SOIC$1.73000
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Digi-Key 得捷电子		STS4DNF60LSTMicroelectronicsFET - 阵列 STripFET?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Ch 60 Volt 4 Amp2500+:￥4.71
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element14 e络盟电子		STS4DNF60STMicroelectronicsFET - 阵列 STripFET?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Ch 60 Volt 4 Amp2500+:￥4.71
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element14 e络盟电子		STS4DNF60LSTMicroelectronicsFET - 阵列 STripFET?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Ch 60 Volt 4 Amp2500+:￥4.71
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Future(富昌)		STS4DNF60STMicroelectronicsFET - 阵列 STripFET?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Ch 60 Volt 4 Amp2500+:￥4.71
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Future(富昌)		STS4DNF60LSTMicroelectronicsFET - 阵列 STripFET?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Ch 60 Volt 4 Amp2500+:￥4.71
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Mouser 贸泽电子		STS4DNF60STMicroelectronicsFET - 阵列 STripFET?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Ch 60 Volt 4 Amp2500+:￥4.71
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7500+:￥4.5199
22500+:￥4.38
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Mouser 贸泽电子		STS4DNF60LSTMicroelectronicsFET - 阵列 STripFET?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Ch 60 Volt 4 Amp2500+:￥4.71
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Mouser 贸泽电子		STS4DNF60LSTMicroelectronicsMOSFET N-Ch 60 Volt 4 Amp1:¥13.0628
10:¥11.1418
100:¥8.9157
500:¥7.7631
2,500:¥6.0342
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Verical		STS4DNF60STMicroelectronicsFET - 阵列 STripFET?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Ch 60 Volt 4 Amp2500+:￥4.71
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Verical		STS4DNF60LSTMicroelectronicsFET - 阵列 STripFET?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Ch 60 Volt 4 Amp2500+:￥4.71
5000+:￥4.53
7500+:￥4.371+:￥8.61
10+:￥6.96
100+:￥5.57
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2500+:￥4.75
5000+:￥4.6899
7500+:￥4.5199
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7500+:￥2.82500+:￥1.512500+:￥1.811+:￥2.151+:￥1.6
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立创商城		STS4DNF60LST(意法半导体)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A 漏源电压（Vdss）：-60V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：55mΩ @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2W 类型：双N沟道1+:￥2.685
10+:￥2.61
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立创商城		STS4DNF60LVBsemi(台湾微碧)MOS(场效应管)1+:￥1.813
10+:￥1.3397
30+:￥1.2528
100+:￥1.04922
500+:￥1.01448
1000+:￥0.99729
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