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STS4DNF60L /MOSFET N-Ch 60 Volt 4 Amp
STS4DNF60L的规格信息
STS4DNF60L的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SO-8

通道数量:2 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:60 V

Id-连续漏极电流:4 A

Rds On-漏源导通电阻:55 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1 V

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Qg-栅极电荷:15 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:2 W

配置:Dual

通道模式:Enhancement

商标名:STripFET

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1.65 mm

长度:5 mm

系列:STS4DNF60L

晶体管类型:2 N-Channel Power MOSFET

类型:Power MOSFET

宽度:4 mm

商标:STMicroelectronics

正向跨导 - 最小值:25 S

下降时间:10 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:28 ns

工厂包装数量:2500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:45 ns

典型接通延迟时间:15 ns

单位重量:85 mg

供应商STS4DNF60L
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深圳市微碧半导体有限公司STS4DNF60L-VB深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛 格科技园4栋东5层5020755-83204141
18118747668
许小姐Email:Reeta@vbsemi.cn询价
深圳市芯幂科技有限公司STS4DNF60L深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市骏凯诚科技有限公司STS4DNF60L深圳市福田区华强北街道上步工业区501栋411室0755-82731802
13652405995
朱小姐Email:szjkc618@163.com询价
芯莱德电子(香港)有限公司STS4DNF60L深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419,19076157484
杨先生Email:2881915365@qq.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司STS4DNF60L深圳市福田区航都大厦25F0755-83289799
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蔡小姐Email:sam@678ic.com询价
深圳市高捷芯城科技有限公司STS4DNF60L深圳市福田区航都大厦10B13352985419
13352985419
木易Email:2881915365@qq.com询价
深圳市芯奕科技有限公司STS4DNF60L深圳市福田区华强北深纺大厦C座2楼K315818509871王志Email:741244823@qq.com询价
深圳市斌腾达科技有限公司STS4DNF60L深圳市福田区华强北上步工业区501栋5180755-82815082
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赵小姐Email:zhujunbin163@163.com询价
深圳市毅创腾电子科技有限公司STS4DNF60L深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室0755-83616256 / 83210909
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朱小姐Email:szyctdz@163.com询价
深圳和润天下电子科技有限公司STS4DNF60L深港合作区前湾一路1号A栋201室13378422395,19129491930蔡经理,张小姐Email:1139848500@qq.com询价
深圳市天卓伟业电子有限公司STS4DNF60L深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
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陈敏Email:3004201508@qq.com询价
深圳瀚顺芯电子科技有限公司STS4DNF60L深圳市福田区福田街道皇岗社区吉龙一村26栋801室18927111567Email:1585681270@qq.com询价
深圳市博浩通科技有限公司STS4DNF60L华强北宝华大厦A座8080755-82811430,0755-82818091
15989349634,13798567707
朱丽娜skype:bhtkj@hotmail.comEmail:bob@bhtkj.com询价
柒号芯城电子商务(深圳)有限公司STS4DNF60L深圳市福田区华强北路1019号华强广场D座23楼0755-83663056
18922805453,18929374037,18922803401
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深圳市坤融电子有限公司STS4DNF60L航都大厦10I0755-23990975
17318082080,13510287235
肖瑶,树平Email:hzk@krchips.com询价
深圳市宇浩扬科技有限公司STS4DNF60L深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
13826514222
余先生,张先生Email:grady4222@126.com询价
深圳市拓亿芯电子有限公司STS4DNF60L深圳市福田区振兴西路华康大厦2栋6030755-82777855,0755-82702619
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刘先生,李小姐Email:tyxliujian@163.com询价
深圳市浩睿泽电子科技有限公司STS4DNF60L深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
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罗先生Email:250652363@qq.com询价
深圳市佳威星科技有限公司STS4DNF60L深圳市福田区华强北路现代之窗B座28C0755-83045910
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胡小姐Email:jiaweixingic@126.com询价
深圳市高捷半导体有限公司STS4DNF60L深圳市福田区航都大厦10层13380394549
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STS4DNF60LDual N-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFET VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]的LOGO1089.19 Kbytes共9页STS4DNF60L的PDF下载地址
STS4DNF60L的全球分销商及价格
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STS4DNF60LSTMicroelectronicsFET - 阵列 STripFET?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Ch 60 Volt 4 Amp2500+:¥4.71
5000+:¥4.53
7500+:¥4.371+:¥8.61
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100+:¥5.57
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5000+:¥4.6899
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22500+:¥4.382500+:¥3.53
5000+:¥3.11
7500+:¥2.82500+:¥1.512500+:¥1.811+:¥2.15
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STS4DNF60LSTMicroelectronicsFET - 阵列 STripFET?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Ch 60 Volt 4 Amp2500+:¥4.71
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7500+:¥2.82500+:¥1.51
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Digi-Key 得捷电子
STS4DNF60LSTMicroelectronicsFET - 阵列 STripFET?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Ch 60 Volt 4 Amp2500+:¥4.71
5000+:¥4.53
7500+:¥4.37
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Digi-Key 得捷电子
STS4DNF60LSTMicroelectronicsMOSFET 2N-CH 60V 4A 8-SOIC$1.73000
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element14 e络盟电子
STS4DNF60LSTMicroelectronicsFET - 阵列 STripFET?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Ch 60 Volt 4 Amp2500+:¥4.71
5000+:¥4.53
7500+:¥4.371+:¥8.61
10+:¥6.96
100+:¥5.57
500+:¥5.57
1000+:¥5.17
2500+:¥4.75
5000+:¥4.6899
7500+:¥4.5199
22500+:¥4.382500+:¥3.53
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7500+:¥2.8
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Future(富昌)
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Mouser 贸泽电子
STS4DNF60LSTMicroelectronicsFET - 阵列 STripFET?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Ch 60 Volt 4 Amp2500+:¥4.71
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Mouser 贸泽电子
STS4DNF60LSTMicroelectronicsMOSFET N-Ch 60 Volt 4 Amp1:¥13.0628
10:¥11.1418
100:¥8.9157
500:¥7.7631
2,500:¥6.0342
5,000:查看
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Verical
STS4DNF60LSTMicroelectronicsFET - 阵列 STripFET?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Ch 60 Volt 4 Amp2500+:¥4.71
5000+:¥4.53
7500+:¥4.371+:¥8.61
10+:¥6.96
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22500+:¥4.382500+:¥3.53
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7500+:¥2.82500+:¥1.512500+:¥1.811+:¥2.151+:¥1.6
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立创商城
STS4DNF60LST(意法半导体)连续漏极电流(Id)(25°C 时):4A 漏源电压(Vdss):-60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:55mΩ @ 2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2W 类型:双N沟道1+:¥2.685
10+:¥2.61
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立创商城
STS4DNF60LVBsemi(台湾微碧)MOS(场效应管)1+:¥1.813
10+:¥1.3397
30+:¥1.2528
100+:¥1.04922
500+:¥1.01448
1000+:¥0.99729