系列：DeepGATE™，STripFET™ VI

FET类型：P 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：4V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：6.4nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：340pF @ 48V

Vgs（最大值）：±20V

功率耗散（最大值）：2.7W（Tc）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：160 毫欧 @ 1.5A，10V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

封装形式Package：SO

极性Polarity：P-CH

漏源极击穿电压VDSS：60V

连续漏极电流ID：3A

无铅情况/RoHs：否