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STP80N10F7 /MOSFET N-Ch 100V 0.0085Ohm typ 80A STripFET VII
STP80N10F7的规格信息
STP80N10F7的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:100 V

Id-连续漏极电流:80 A

Rds On-漏源导通电阻:10 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:3.5 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:45 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:110 W

配置:Single

商标名:STripFET

封装:Tube

系列:STP80N10F7

晶体管类型:1 N-Channel

商标:STMicroelectronics

下降时间:13 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:32 ns

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:36 ns

典型接通延迟时间:19 ns

单位重量:330 mg

供应商STP80N10F7
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现代芯城(深圳)科技有限公司STP80N10F7www.nowchip.com0755-27381274
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盛信伟业(深圳)科技有限公司STP80N10F7深圳市福田区华强北街道福强社区华强北路1002号赛格广场3310A19926488141
19926488141
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STP80N10F7STMicroelectronicsFET - 单 DeepGATE?, STripFET? VII 分立半导体产品1+:¥18.18
10+:¥14.6901
100+:¥11.79
500+:¥10.26
1000+:¥8.51
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5000+:¥7.64
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10+:¥11.68
100+:¥9.36
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Mouser 贸泽电子
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Mouser 贸泽电子
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