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STL9N60M2 /MOSFET N-channel 600 V, 0.76 Ohm typ., 4.8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT(TM) 5x6 HV package
STL9N60M2的规格信息
STL9N60M2的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:PowerFLAT-5x6-HV-8

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:600 V

Id-连续漏极电流:4.8 A

Rds On-漏源导通电阻:860 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:3 V

Vgs - 栅极-源极电压:25 V

Qg-栅极电荷:10 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:48 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:MDmesh

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

系列:STL9N60M2

晶体管类型:1 N-Channel

商标:STMicroelectronics

下降时间:13.5 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:7.5 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:22 ns

典型接通延迟时间:8.8 ns

单位重量:90 mg

供应商STL9N60M2
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现代芯城(深圳)科技有限公司STL9N60M2www.nowchip.com0755-27381274
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STL9N60M2STMicroelectronics3000+:¥7.11
6000+:¥6.85
9000+:¥6.581+:¥13
10+:¥10.5201
100+:¥8.3699
500+:¥8.3699
1000+:¥7.79
3000+:¥7.16
6000+:¥7.09
9000+:¥6.81
24000+:¥6.611+:¥14.75
10+:¥13.46
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6000+:¥6.85
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500+:¥8.3699
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10+:¥13.46
50+:¥12.95
100+:¥11.16
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1000+:¥7.921+:¥4.02
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STL9N60M2STMicroelectronics3000+:¥7.11
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100+:¥8.3699
500+:¥8.3699
1000+:¥7.79
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6000+:¥7.09
9000+:¥6.81
24000+:¥6.61
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Mouser 贸泽电子
STL9N60M2STMicroelectronicsMOSFET N-channel 600 V, 0.76 Ohm typ., 4.8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT(TM) 5x6 HV package1:¥16.4415
10:¥13.9103
100:¥11.1418
500:¥9.7632
1,000:¥8.0682
3,000:¥8.0682
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Verical
STL9N60M2STMicroelectronics3000+:¥7.11
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10+:¥10.5201
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1000+:¥7.921+:¥4.021+:¥13.57
10+:¥11.36
25+:¥11.26
100+:¥9.23
250+:¥9.15
500+:¥8.08
1000+:¥7.39