系列：DeepGATE™，STripFET™ VII
FET类型：P 沟道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：20V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：8A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：1.5V，4.5V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：1V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：22nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：2390pF @ 16V
Vgs（最大值）：±8V
功率耗散（最大值）：2.4W（Tc）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：22.5 毫欧 @ 4A，4.5V
工作温度：150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
封装/外壳：6-PowerWDFN
封装形式Package：Power
极性Polarity：P-CH
漏源极击穿电压VDSS：30V
连续漏极电流ID：8A
无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs