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STL8N10LF3 /MOSFET N-Ch 100 V 25 mOhm 7.8 A STripFET III
STL8N10LF3的规格信息
STL8N10LF3的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:PowerFLAT-5x6-8

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:100 V

Id-连续漏极电流:7.8 A

Rds On-漏源导通电阻:25 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:20.5 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:70 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

资格:AEC-Q101

商标名:STripFET

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

系列:STL8N10LF3

晶体管类型:1 N-Channel

商标:STMicroelectronics

下降时间:5.2 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:9.6 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:50.6 ns

典型接通延迟时间:8.7 ns

供应商STL8N10LF3
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现代芯城(深圳)科技有限公司STL8N10LF3www.nowchip.com0755-27381274
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Mouser 贸泽电子
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