其它有关文件：STL8DN10LF3 View All Specifications

产品培训模块：Automotive Grade Transistors and Discretes

标准包装：3,000

类别：分立半导体产品

家庭：FET - 阵列

系列：STripFET?? III

包装：带卷（TR）

FET 类型：2 个 N 沟道（双）

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压（Vdss）：100V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：20A

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：35 毫欧 @ 4A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：3V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：20.5nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：970pF @ 25V

功率 - 最大值：70W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-PowerVDFN

供应商器件封装：PowerFlat?（5x6）

其它名称：497-13168-2