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STL30N10F7 /MOSFET N-Ch 100V 0.027 Ohm typ. 8A STripFET VII
STL30N10F7的规格信息
STL30N10F7的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:PowerFLAT-5x6-8

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:100 V

Id-连续漏极电流:8 A

Rds On-漏源导通电阻:27 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:4.5 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:14 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:4.8 W

配置:Triple

商标名:STripFET

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

系列:STL30N10F7

晶体管类型:1 N-Channel

商标:STMicroelectronics

下降时间:4.6 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:14 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:14.8 ns

典型接通延迟时间:9.8 ns

供应商STL30N10F7
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现代芯城（深圳）科技有限公司STL30N10F7www.nowchip.com0755-27381274
18098996457		董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市芯幂科技有限公司STL30N10F7深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市鑫智腾创科技有限公司STL30N10F7深圳市福田区红荔路上航大厦西座410-813066809747
13066809747		李小姐Email:xiegp12@163.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司STL30N10F7深圳市福田区航都大厦25F0755-83289799
18129819897		蔡小姐Email:sam@678ic.com询价
深圳市坤融电子有限公司STL30N10F7航都大厦10I0755-23990975
17318082080，13510287235		肖瑶，树平Email:hzk@krchips.com询价
深圳市佳威星科技有限公司STL30N10F7深圳市福田区华强北路现代之窗B座28C0755-83045910
13724343501		胡小姐Email:jiaweixingic@126.com询价
芯莱德电子（香港）有限公司STL30N10F7深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419，19076157484		杨先生Email:2881915365@qq.com询价
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13352985419		木易Email:2881915365@qq.com询价
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深圳瀚顺芯电子科技有限公司STL30N10F7深圳市福田区福田街道皇岗社区吉龙一村26栋801室18927111567黄Email:1585681270@qq.com询价
深圳市斌腾达科技有限公司STL30N10F7深圳市福田区华强北上步工业区501栋5180755-82815082
13049883113		赵小姐Email:zhujunbin163@163.com询价
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13380394549		颜小姐Email:2881915365@qq.com询价
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13603072128		陈Email:517368904@QQ.COM询价
上海三崧电子有限公司STL30N10F7上海市嘉定区曹安路4671号协通科技大厦7层13818988389
17621743344		樊勉Email:420014373@qq.com询价
深圳市捷芯微科技有限公司STL30N10F7深圳市福田区华强北街道华航社区中航路4号都会100大厦(金都)23B36309192
13725554160		陈欣skype:jxwic888.comEmail:jxwic888@163.com询价
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13360063783		杨先生Email:sam@678ic.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司STL30N10F7深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
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集好芯城STL30N10F7深圳市福田区航都大厦25F4008626627
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STL30N10F7连续漏极电流（Id）（25°C 时）：30A(Tc) 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：35mΩ @ 4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：75W(Tc) 类型：N沟道ST(意法半导体)ST(意法半导体)的LOGO1.22 Mbytes共15页STL30N10F7的PDF下载地址无
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Arrow(艾睿)		STL30N10F7STMicroelectronicsFET - 单 DeepGATE?， STripFET? VII 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Ch 100V 0.027 Ohm typ. 8A STripFET VII1+:￥22.03
10+:￥17.82
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1000+:￥10.331+:￥17.5599
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100+:￥11.3501
500+:￥11.3501
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ChipOneStop		STL30N10F7STMicroelectronicsFET - 单 DeepGATE?， STripFET? VII 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Ch 100V 0.027 Ohm typ. 8A STripFET VII1+:￥22.03
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元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		STL30N10F7STMicroelectronicsFET - 单 DeepGATE?， STripFET? VII 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Ch 100V 0.027 Ohm typ. 8A STripFET VII1+:￥22.03
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元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		STL30N10F7STMicroelectronicsMOSFET N-CH 100V 30A POWERFLAT$1.02000
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Future(富昌)		STL30N10F7STMicroelectronicsFET - 单 DeepGATE?， STripFET? VII 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Ch 100V 0.027 Ohm typ. 8A STripFET VII1+:￥22.03
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Mouser 贸泽电子		STL30N10F7STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 100V 0.027 Ohm typ. 8A STripFET VII1:¥10.5994
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100:¥6.9721
500:¥6.1585
3,000:¥4.3166
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Verical		STL30N10F7STMicroelectronicsFET - 单 DeepGATE?， STripFET? VII 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Ch 100V 0.027 Ohm typ. 8A STripFET VII1+:￥22.03
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立创商城		STL30N10F7ST(意法半导体)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：30A(Tc) 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：35mΩ @ 4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：75W(Tc) 类型：N沟道1+:￥3.81
10+:￥2.87
30+:￥2.7
100+:￥2.53
500+:￥2.45
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