FET 类型N 沟道

技术MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）600V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）19A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）60nC @ 10V

Vgs（最大值）±25V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）2050pF @ 50V

功率耗散（最大值）150W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）180 毫欧 @ 9.5A，10V

工作温度150°C（TJ）

安装类型通孔

供应商器件封装I2PAK

封装/外壳TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA

无铅情况/RoHs无铅/符合RoHs