不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：1400pF @ 50V
Vgs（最大值）：±30V
功率耗散（最大值）：125W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：190 毫欧 @ 8A，10V
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
FET 类型：N 沟道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源极电压（Vdss）：600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：17A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：46nC @ 10V
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds：50V
供应商器件封装：I2PAK
无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs