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STH80N10F7-2 /MOSFET N-channel 100 V, 0.008 Ohm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in H2PAK-2 package
STH80N10F7-2的规格信息
STH80N10F7-2的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:H2PAK-2

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:100 V

Id-连续漏极电流:80 A

Rds On-漏源导通电阻:9.5 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:4.5 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:45 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:110 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:STripFET

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

系列:STH80N10F7-2

晶体管类型:1 N-Channel

商标:STMicroelectronics

下降时间:13 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:32 ns

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:36 ns

典型接通延迟时间:19 ns

单位重量:4 g

供应商STH80N10F7-2
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STH80N10F7-2Ultra low on-resistance STMICROELECTRONICS[STMicroelectronics]STMICROELECTRONICS[STMicroelectronics]的LOGO1366.81 Kbytes共25页STH80N10F7-2的PDF下载地址
STH80N10F7-2的全球分销商及价格
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STH80N10F7-2STMicroelectronics1+:¥18.4
10+:¥14.84
100+:¥11.85
500+:¥10.4
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STH80N10F7-2STMicroelectronicsMOSFET N-CH 100V 80A H2PAK-2Obsolete
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STH80N10F7-2STMicroelectronicsMOSFET N-channel 100 V, 0.008 Ohm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in H2PAK-2 package1:¥18.5207
10:¥15.6731
100:¥12.5204
500:¥10.9836
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STH80N10F7-2STMicroelectronics1+:¥18.4
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100+:¥9.44
500+:¥9.44
1000+:¥8.78
2000+:¥8.06
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10000+:¥7.68
25000+:¥7.48
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STH80N10F7-2ST(意法半导体)连续漏极电流(Id)(25°C 时):80A(Tc) 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:4.5V @ 250uA 漏源导通电阻:9.5mΩ @ 40A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):110W(Tc) 类型:N沟道1+:¥3.985
10+:¥2.945
30+:¥2.755
100+:¥2.565
500+:¥2.48
1000+:¥2.435