制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:H2PAK-2

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:100 V

Id-连续漏极电流:180 A

Rds On-漏源导通电阻:4.5 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:114.6 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:315 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

资格:AEC-Q101

商标名:STripFET

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

系列:STH185N10F3-2

商标:STMicroelectronics

下降时间:6.9 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:97.1 ns

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:99.9 ns

典型接通延迟时间:25.6 ns

单位重量:4 g