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STF8NK100Z /MOSFET N-Ch 1000 V 1.6 Ohm Zener SuperMESH 6.5A
STF8NK100Z的规格信息
STF8NK100Z的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:1 kV

Id-连续漏极电流:6.5 A

Rds On-漏源导通电阻:1.6 Ohms

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:40 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:SuperMESH

封装:Tube

高度:9.3 mm

长度:10.4 mm

系列:STF8NK100Z

晶体管类型:1 N-Channel

类型:MOSFET

宽度:4.6 mm

商标:STMicroelectronics

正向跨导 - 最小值:7 S

下降时间:30 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:19 ns

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:59 ns

典型接通延迟时间:28 ns

单位重量:330 mg

供应商STF8NK100Z
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STF8NK100Z连续漏极电流(Id)(25°C 时):6.5A(Tc) 漏源电压(Vdss):1000V 栅源极阈值电压:4.5V @ 100uA 漏源导通电阻:1.85Ω @ 3.15A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):40W(Tc) 类型:N沟道ST(意法半导体)ST(意法半导体)的LOGO290.82 Kbytes共13页STF8NK100Z的PDF下载地址
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Arrow(艾睿)
STF8NK100ZSTMicroelectronicsFET - 单 SuperMESH?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Ch 1000 V 1.6 Ohm Zener SuperMESH 6.5A1+:¥29.97
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ChipOneStop
STF8NK100ZSTMicroelectronicsFET - 单 SuperMESH?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Ch 1000 V 1.6 Ohm Zener SuperMESH 6.5A1+:¥29.97
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Digi-Key 得捷电子
STF8NK100ZSTMicroelectronicsFET - 单 SuperMESH?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Ch 1000 V 1.6 Ohm Zener SuperMESH 6.5A1+:¥29.97
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Element_sh
STF8NK100ZSTMicroelectronicsFET - 单 SuperMESH?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Ch 1000 V 1.6 Ohm Zener SuperMESH 6.5A1+:¥29.97
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element14 e络盟电子
STF8NK100ZSTMicroelectronicsFET - 单 SuperMESH?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Ch 1000 V 1.6 Ohm Zener SuperMESH 6.5A1+:¥29.97
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Mouser 贸泽电子
STF8NK100ZSTMicroelectronicsFET - 单 SuperMESH?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Ch 1000 V 1.6 Ohm Zener SuperMESH 6.5A1+:¥29.97
10+:¥24.0699
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元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子
STF8NK100ZSTMicroelectronicsMOSFET N-Ch 1000 V 1.6 Ohm Zener SuperMESH 6.5A1:¥29.9676
10:¥25.4363
100:¥22.0576
250:¥20.905
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RS(欧时)
STF8NK100ZSTMicroelectronicsFET - 单 SuperMESH?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Ch 1000 V 1.6 Ohm Zener SuperMESH 6.5A1+:¥29.97
10+:¥24.0699
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Verical
STF8NK100ZSTMicroelectronicsFET - 单 SuperMESH?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Ch 1000 V 1.6 Ohm Zener SuperMESH 6.5A1+:¥29.97
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立创商城
STF8NK100ZST(意法半导体)连续漏极电流(Id)(25°C 时):6.5A(Tc) 漏源电压(Vdss):1000V 栅源极阈值电压:4.5V @ 100uA 漏源导通电阻:1.85Ω @ 3.15A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):40W(Tc) 类型:N沟道1+:¥29.13
10+:¥28.35
30+:¥27.82
100+:¥27.3