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STF3N62K3 /MOSFET N-Ch, 620V-2.2ohms 2.7A
STF3N62K3的规格信息
STF3N62K3的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:620 V

Id-连续漏极电流:2.7 A

Rds On-漏源导通电阻:2.5 Ohms

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

Qg-栅极电荷:13 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:45 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:MDmesh

封装:Tube

高度:9.3 mm

长度:10.4 mm

系列:STF3N62K3

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:4.6 mm

商标:STMicroelectronics

下降时间:15.6 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:6.8 ns

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:22 ns

典型接通延迟时间:9 ns

单位重量:330 mg

供应商STF3N62K3
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现代芯城（深圳）科技有限公司STF3N62K3www.nowchip.com0755-27381274
18098996457		董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市芯幂科技有限公司STF3N62K3深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市骏凯诚科技有限公司STF3N62K3深圳市福田区华强北街道上步工业区501栋411室0755-82731802
13652405995		朱小姐Email:szjkc618@163.com询价
深圳市泓建半导体有限公司STF3N62K3深圳市福田区华强北街道福强社区深南中路2070号电子科技大厦C座7B1218617195508
18617195508		蔡永记Email:18617195508@163.com询价
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集好芯城STF3N62K3深圳市福田区航都大厦25F4008626627
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18129819897		蔡小姐Email:sam@678ic.com询价
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13352985419		木易Email:2881915365@qq.com询价
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13826514222		余先生，张先生Email:grady4222@126.com询价
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STF3N62K3的全球分销商及价格
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元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
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元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
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立创商城		STF3N62K3ST(意法半导体)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2.7A(Tc) 漏源电压（Vdss）：620V 栅源极阈值电压：4V @ 50uA 漏源导通电阻：2.5Ω @ 1.4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：20W(Tc) 类型：N沟道1+:￥1.53
10+:￥1.49
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