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STF3NK100Z /MOSFET N Ch 24V 120A Zener SuperMESH
STF3NK100Z的规格信息
STF3NK100Z的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:1 kV

Id-连续漏极电流:2.5 A

Rds On-漏源导通电阻:6 Ohms

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:25 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:SuperMESH

封装:Tube

高度:9.3 mm

长度:10.4 mm

系列:STF3NK100Z

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:4.6 mm

商标:STMicroelectronics

下降时间:32 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:7.5 ns

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:39 ns

典型接通延迟时间:15 ns

单位重量:330 mg

供应商STF3NK100Z
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上海山峻电子有限公司STF3NK100Z上海市嘉定区曹安路4671号协通科技大厦7层13818988389
17621743344		樊勉Email:420014373@qq.com询价
深圳市芯幂科技有限公司STF3NK100Z深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774
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深圳市坤融电子有限公司STF3NK100Z航都大厦10I0755-23990975
13926529829，17318082080		肖瑶，树平Email:hzk@krchips.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司STF3NK100Z深圳市福田区航都大厦25F0755-83289799
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深圳市赛美科科技有限公司STF3NK100Z广东省深圳市福田区华强北上步工业区101栋5楼A5950755-28309323
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深圳市仓实科技有限公司STF3NK100Z深圳市福田区福田街道17080955875李先生Email:service@cangshixc.com询价
深圳市博浩通科技有限公司STF3NK100Z华强北宝华大厦A座8080755-82811430，0755-82818091
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深圳市捷芯微科技有限公司STF3NK100Z深圳市福田区华强北街道华航社区中航路4号都会100大厦(金都)23B36309192
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芯莱德电子（香港）有限公司STF3NK100Z深圳市福田区航都大厦10L13352985419
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深圳市高捷芯城科技有限公司STF3NK100Z深圳市福田区航都大厦10B13352985419
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深圳市浩睿泽电子科技有限公司STF3NK100Z深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
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深圳市荣创芯微科技有限公司STF3NK100Z深圳市福田区华强北都会B做12N0755-82501483
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深圳市芯泽盛世科技有限公司STF3NK100Z龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋18220755-89697985
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STF3NK100Z连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2.5A(Tc) 漏源电压（Vdss）：1000V 栅源极阈值电压：4.5V @ 50uA 漏源导通电阻：6Ω @ 1.25A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：25W(Tc) 类型：N沟道ST(意法半导体)ST(意法半导体)的LOGO575.90 Kbytes共22页STF3NK100Z的PDF下载地址无
STF3NK100Z的全球分销商及价格
销售商型号制造商功能描述价格
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		STF3NK100ZSTMicroelectronicsFET - 单 SuperMESH?? 分立半导体产品1+:￥23.49
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Future(富昌)		STF3NK100ZSTMicroelectronicsFET - 单 SuperMESH?? 分立半导体产品1+:￥23.49
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元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
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Mouser 贸泽电子		STF3NK100ZSTMicroelectronicsMOSFET N Ch 24V 120A Zener SuperMESH1:¥23.5153
10:¥19.9784
100:¥17.3681
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元器件资料网-立创商城的LOGO
立创商城		STF3NK100ZST(意法半导体)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2.5A(Tc) 漏源电压（Vdss）：1000V 栅源极阈值电压：4.5V @ 50uA 漏源导通电阻：6Ω @ 1.25A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：25W(Tc) 类型：N沟道1+:￥2.956
10+:￥2.22
30+:￥2.084
100+:￥1.948
500+:￥1.888
1000+:￥1.86
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