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STD845DN40 /STMicroelectronics/分立半导体产品
STD845DN40的规格信息
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图像仅供参考，请参阅规格书

其它有关文件：STD845DN40 View All Specifications

标准包装：50

类别：分立半导体产品

家庭：晶体管（BJT） - 阵列

系列：-

包装：管件

晶体管类型：2 NPN（双）

电流 - 集电极（Ic）（最大值）：4A

电压 - 集射极击穿（最大值）：400V

不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）：500mV @ 1A，4A

电流 - 集电极截止（最大值）：250µA

不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）：12 @ 2A，5V

功率 - 最大值：3W

频率 - 跃迁：-

安装类型：通孔

封装/外壳：8-DIP（0.300"，7.62mm）

供应商器件封装：8-DIP

配用：497-12903-ND - BOARD EVAL FOR L6562A

其它名称：497-10769-5

供应商STD845DN40
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深圳市河锋鑫科技有限公司STD845DN40华强北都会轩26010755-23903154
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深圳市芯幂科技有限公司STD845DN40深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司STD845DN40深圳市福田区航都大厦25F0755-83289799
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柒号芯城电子商务（深圳）有限公司STD845DN40深圳市福田区华强北路1019号华强广场D座23楼0755-83663056
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Arrow(艾睿)		STD845DN40STMicroelectronics晶体管(BJT) - 阵列 - 分立半导体产品 半导体 两极晶体管 - BJT Dual NPN High Volt Low Vce(sat)1+:￥7.13
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