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STD80N4F6 /MOSFET N-Ch 40V 80A STripFET VI DeepGate
STD80N4F6的规格信息
STD80N4F6的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-252-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:40 V

Id-连续漏极电流:80 A

Rds On-漏源导通电阻:6 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:4 V

Qg-栅极电荷:36 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:70 W

配置:Single

资格:AEC-Q101

商标名:STripFET

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

系列:STD80N4F6

晶体管类型:1 N-Channel

商标:STMicroelectronics

下降时间:11.9 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:7.6 ns

工厂包装数量:2500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:46.1 ns

典型接通延迟时间:10.5 ns

单位重量:4 g

供应商STD80N4F6
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现代芯城(深圳)科技有限公司STD80N4F6www.nowchip.com0755-27381274
18098996457
董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市芯幂科技有限公司STD80N4F6深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
现代芯城(深圳)科技有限公司STD80N4F6深圳市福田区八卦三路八卦岭工业区424栋4楼410房0755-82542579
19924492152
董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市振钰科技有限公司STD80N4F6深圳市福田区华强北街道华航社区红荔路3013号上步工业区23栋上航大厦410-I0755-85270799
13926543930
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深圳市斌腾达科技有限公司STD80N4F6深圳市福田区华强北上步工业区501栋5180755-82815082
13049883113
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深圳市骏凯诚科技有限公司STD80N4F6深圳市福田区华强北街道上步工业区501栋411室0755-82731802
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深圳市辉华拓展电子有限公司STD80N4F6深圳市福田区航都大厦25F0755-83289799
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深圳市坤融电子有限公司STD80N4F6航都大厦10I0755-23990975
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深圳市鑫智腾创科技有限公司STD80N4F6深圳市福田区红荔路上航大厦西座410-813066809747
13066809747
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深圳市河锋鑫科技有限公司STD80N4F6华强北都会轩26010755-23903154
13430590551
杨晓芳Email:305739080@qq.com询价
深圳和润天下电子科技有限公司STD80N4F6深港合作区前湾一路1号A栋201室13378422395,19129491930蔡经理,张小姐Email:1139848500@qq.com询价
深圳市天卓伟业电子有限公司STD80N4F6深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
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深圳市亿鸿丰电子科技有限公司STD80N4F6广东省深圳市华康大夏2栋210-219室0755-82714723
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STD80N4F6连续漏极电流(Id)(25°C 时):80A(Tc) 漏源电压(Vdss):40V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:6mΩ @ 40A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):70W(Tc) 类型:N沟道ST(意法半导体)ST(意法半导体)的LOGO1.99 Mbytes共16页STD80N4F6的PDF下载地址
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STD80N4F6STMicroelectronicsFET - 单 DeepGATE?, STripFET? VI 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Ch 40V 80A STripFET VI DeepGate1+:¥12.8
10+:¥10.33
100+:¥8.29
500+:¥7.25
1000+:¥6.01011+:¥10.19
10+:¥8.23
100+:¥6.61
500+:¥6.61
1000+:¥6.14
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STD80N4F6STMicroelectronicsFET - 单 DeepGATE?, STripFET? VI 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Ch 40V 80A STripFET VI DeepGate1+:¥12.8
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STD80N4F6STMicroelectronicsMOSFET N-CH 40V 80A DPAK$1.36000
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STD80N4F6STMicroelectronicsFET - 单 DeepGATE?, STripFET? VI 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Ch 40V 80A STripFET VI DeepGate1+:¥12.8
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Mouser 贸泽电子
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Mouser 贸泽电子
STD80N4F6STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 40V 80A STripFET VI DeepGate1:¥12.9046
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100:¥8.7575
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2,500:¥5.9212
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Verical
STD80N4F6STMicroelectronicsFET - 单 DeepGATE?, STripFET? VI 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Ch 40V 80A STripFET VI DeepGate1+:¥12.8
10+:¥10.33
100+:¥8.29
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10000+:¥5.3699
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立创商城
STD80N4F6ST(意法半导体)连续漏极电流(Id)(25°C 时):80A(Tc) 漏源电压(Vdss):40V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:6mΩ @ 40A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):70W(Tc) 类型:N沟道1+:¥11.71
10+:¥11.39
30+:¥11.18
100+:¥10.97