系列：DeepGATE™，STripFET™ VI

FET类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：80A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：4.5V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：122nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：7480pF @ 25V

Vgs（最大值）：±20V

功率耗散（最大值）：120W（Tc）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：6.5 毫欧 @ 40A，10V

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

封装形式Package：DPAK

极性Polarity：N-CH

漏源极击穿电压VDSS：60V

连续漏极电流ID：80A

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs