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STD7N65 /连续漏极电流(Id)(25°C 时):5A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:1.15Ω @ 2.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):60W(Tc) 类型:N沟道
STD7N65的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)650V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)5A(Tc)

栅源极阈值电压4V @ 250uA

漏源导通电阻1.15Ω @ 2.5A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)60W(Tc)

类型N沟道

供应商STD7N65
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现代芯城(深圳)科技有限公司STD7N65M2www.nowchip.com0755-27381274
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Mouser 贸泽电子
STD7N65M2STMicroelectronics1+:¥11.56
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STD7N65ST(意法半导体)连续漏极电流(Id)(25°C 时):5A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:1.15Ω @ 2.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):60W(Tc) 类型:N沟道1+:¥3.36
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