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STB23N80K5 /MOSFET N-channel 800 V, 0.23 Ohm typ., 16 A MDmesh K5 Power MOSFET in D2PAK package
STB23N80K5的规格信息
STB23N80K5的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-263-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:800 V

Id-连续漏极电流:16 A

Rds On-漏源导通电阻:280 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:4 V

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

Qg-栅极电荷:33 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:190 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:MDmesh

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

系列:STB23N80K5

晶体管类型:1 N-Channel

商标:STMicroelectronics

下降时间:9 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:9 ns

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:48 ns

典型接通延迟时间:14 ns

单位重量:4 g

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STB23N80K5STMicroelectronicsMOSFET N-CH 800V 16A D2PAK$4.34000
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STB23N80K5STMicroelectronicsMOSFET N-channel 800 V, 0.23 Ohm typ., 16 A MDmesh K5 Power MOSFET in D2PAK package1:¥30.2727
10:¥25.7414
100:¥22.2836
250:¥21.131
500:¥18.984
1,000:¥15.9782
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STB23N80K5ST(意法半导体)连续漏极电流(Id)(25°C 时):16A(Tc) 漏源电压(Vdss):800V 栅源极阈值电压:5V @ 100uA 漏源导通电阻:280mΩ @ 8A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):190W(Tc) 类型:N沟道1+:¥27.32
10+:¥26.53