STB23N80K5
/MOSFET N-channel 800 V, 0.23 Ohm typ., 16 A MDmesh K5 Power MOSFET in D2PAK package
STB23N80K5的规格信息
制造商:STMicroelectronics
产品种类:MOSFET
RoHS:是
技术:Si
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:TO-263-3
通道数量:1 Channel
晶体管极性:N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:800 V
Id-连续漏极电流:16 A
Rds On-漏源导通电阻:280 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压:4 V
Vgs - 栅极-源极电压:30 V
Qg-栅极电荷:33 nC
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:190 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
商标名:MDmesh
封装:Cut Tape
封装:MouseReel
封装:Reel
系列:STB23N80K5
晶体管类型:1 N-Channel
商标:STMicroelectronics
下降时间:9 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:9 ns
工厂包装数量:1000
子类别:MOSFETs
典型关闭延迟时间:48 ns
典型接通延迟时间:14 ns
单位重量:4 g
STB23N80K5
STB23N80K5及相关型号的PDF资料
型号 | 功能描述 | 生产厂商 | 厂商LOGO | PDF大小 | PDF页数 | 下载地址 | 相关型号 |
STB23N80K5 | Ultra low gate charge | STMICROELECTRONICS[STMicroelectronics] | ![STMICROELECTRONICS[STMicroelectronics]的LOGO](/PdfSupLogo/150STMICROELECTRONICS.GIF) | 903.6 Kbytes | 共15页 |  | 无 |