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STB20NM60T4 /MOSFET N-Ch 600 Volt 20 Amp
STB20NM60T4的规格信息
STB20NM60T4的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-263-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:600 V

Id-连续漏极电流:20 A

Rds On-漏源导通电阻:290 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

最小工作温度:- 65 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:192 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:MDmesh

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:4.6 mm

长度:10.4 mm

系列:STB20NM60

晶体管类型:1 N-Channel

类型:MOSFET

宽度:9.35 mm

商标:STMicroelectronics

下降时间:11 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:20 ns

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:42 ns

典型接通延迟时间:25 ns

单位重量:4 g

供应商STB20NM60T4
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