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STB20NM60D /MOSFET N Ch 600V 0.26 Ohm 20A
STB20NM60D的规格信息
STB20NM60D的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-263-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:600 V

Id-连续漏极电流:20 A

Rds On-漏源导通电阻:290 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

最小工作温度:- 65 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:192 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:FDmesh

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:4.6 mm

长度:10.4 mm

系列:STB20NM60D

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:9.35 mm

商标:STMicroelectronics

下降时间:22 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:12 ns

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

典型接通延迟时间:25 ns

单位重量:4 g

供应商STB20NM60D
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现代芯城(深圳)科技有限公司STB20NM60Dwww.nowchip.com0755-27381274
18098996457
董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市芯幂科技有限公司STB20NM60D深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
盛信伟业(深圳)科技有限公司STB20NM60D深圳市福田区华强北街道福强社区华强北路1002号赛格广场3310A19926488141
19926488141
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樊勉Email:420014373@qq.com询价
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13352985419,19076157484
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STB20NM60DSTMicroelectronicsFET - 单 FDmesh?? 分立半导体产品1+:¥44
10+:¥39.4
25+:¥35.4301
100+:¥32.23
250+:¥29.17
500+:¥26.121+:¥29.9001
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100+:¥25.01
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Digi-Key 得捷电子
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10+:¥26.83
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500+:¥21.5799
1000+:¥21.5799
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Mouser 贸泽电子
STB20NM60DSTMicroelectronicsMOSFET N Ch 600V 0.26 Ohm 20A1:¥42.6462
10:¥36.273
100:¥31.4253
250:¥29.8094
1,000:¥22.5887
2,000:查看
元器件资料网-Verical的LOGO
Verical
STB20NM60DSTMicroelectronicsFET - 单 FDmesh?? 分立半导体产品1+:¥44
10+:¥39.4
25+:¥35.4301
100+:¥32.23
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500+:¥26.121+:¥29.9001
10+:¥26.83
100+:¥25.01
250+:¥22.69
500+:¥21.5799
1000+:¥21.5799
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5000+:¥20.381+:¥22.231+:¥10.3