图像仅供参考,请参阅规格书
系列:MDmesh™ M2
FET类型:N 沟道
技术:MOSFET(金属氧化物)
电流-连续漏极(Id)(25°C时):13A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):10V
功率耗散(最大值):110W(Tc)
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
极性Polarity:N-CH
漏源极击穿电压VDSS:600V
连续漏极电流ID:13A
无铅情况/RoHs:否