制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-263-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Id-连续漏极电流:120 A

Rds On-漏源导通电阻:3.2 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:300 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

资格:AEC-Q101

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:4.6 mm

长度:10.4 mm

系列:STB200NF03

晶体管类型:1 N-Channel

类型:MOSFET

宽度:9.35 mm

商标:STMicroelectronics

正向跨导 - 最小值:200 S

下降时间:60 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:195 ns

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:75 ns

典型接通延迟时间:30 ns

单位重量:4 g