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STB18NM60ND /MOSFET N-CH 600V 0.25Ohm 13A FDmesh II
STB18NM60ND的规格信息
STB18NM60ND的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-263-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:650 V

Id-连续漏极电流:13 A

Rds On-漏源导通电阻:290 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:4 V

Vgs - 栅极-源极电压:25 V

Qg-栅极电荷:34 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:130 W

配置:Single

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

系列:STB18NM60ND

晶体管类型:1 N-Channel

商标:STMicroelectronics

下降时间:18 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:15.5 ns

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:13 ns

典型接通延迟时间:55 ns

单位重量:4 g

供应商STB18NM60ND
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上海三崧电子有限公司STB18NM60ND上海市嘉定区曹安路4671号协通科技大厦7层13818988389
17621743344
樊勉Email:420014373@qq.com询价
深圳市芯幂科技有限公司STB18NM60ND深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市坤融电子有限公司STB18NM60ND航都大厦10I0755-23990975
17318082080,13510287235
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深圳市河锋鑫科技有限公司STB18NM60ND华强北都会轩26010755-23903154
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深圳市天卓伟业电子有限公司STB18NM60ND深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
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STB18NM60NDSTMicroelectronicsFET - 单 FDmesh?? II 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-CH 600V 0.25Ohm 13A FDmesh II1+:¥40.51
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STB18NM60NDSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 13A D2PAK$5.80000
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STB18NM60NDSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 0.25Ohm 13A FDmesh II1:¥40.4201
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