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STB18N65M5 /MOSFET N-Ch 650V 0.198 Ohm 15 A MDmesh M5
STB18N65M5的规格信息
STB18N65M5的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-263-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:650 V

Id-连续漏极电流:15 A

Rds On-漏源导通电阻:198 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:25 V

Qg-栅极电荷:31 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:110 W

配置:Single

商标名:MDmesh

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

系列:STB18N65M5

晶体管类型:1 N-Channel

商标:STMicroelectronics

下降时间:9 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:7 ns

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

单位重量:4 g

供应商STB18N65M5
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现代芯城(深圳)科技有限公司STB18N65M5www.nowchip.com0755-27381274
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STB18N65M5STMicroelectronicsFET - 单 MDmesh? V 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Ch 650V 0.198 Ohm 15 A MDmesh V1+:¥29.1
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25+:¥23.45
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STB18N65M5STMicroelectronicsMOSFET N-CH 650V 15A D2PAK$2.76000
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