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STB160N75F3 /MOSFET 75V 3.5mOhm N-Channel
STB160N75F3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-263-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:75 V

Id-连续漏极电流:120 A

Rds On-漏源导通电阻:4 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:330 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:4.6 mm

长度:10.4 mm

系列:STB160N75F3

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:9.35 mm

商标:STMicroelectronics

下降时间:15 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:65 ns

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:100 ns

典型接通延迟时间:22 ns

单位重量:4 g

供应商STB160N75F3
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深圳市骏凯诚科技有限公司STB160N75F3深圳市福田区华强北街道上步工业区501栋411室0755-82731802
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深圳市芯幂科技有限公司STB160N75F3深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
上海三崧电子有限公司STB160N75F3上海市嘉定区曹安路4671号协通科技大厦7层13818988389
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Digi-Key 得捷电子
STB160N75F3STMicroelectronicsMOSFET N-CH 75V 120A D2PAK$5.66000
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STB160N75F3STMicroelectronicsMOSFET 75V 3.5mOhm N-Channel1:¥39.4935
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Verical
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STB160N75F3ST(意法半导体)连续漏极电流(Id)(25°C 时):120A(Tc) 漏源电压(Vdss):75V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:4mΩ @ 60A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):330W(Tc) 类型:N沟道1+:¥37.12
10+:¥36.04