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STB155N3LH6 /MOSFET N-channel 30V 0.0024 Ohm, 80 A, D2PAK
STB155N3LH6的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-263-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Id-连续漏极电流:80 A

Rds On-漏源导通电阻:3 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:80 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:110 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

资格:AEC-Q101

商标名:STripFET

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

系列:STB155N3LH6

晶体管类型:1 N-Channel

商标:STMicroelectronics

下降时间:40 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:85 ns

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:100 ns

典型接通延迟时间:15 ns

单位重量:4 g

供应商STB155N3LH6
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现代芯城(深圳)科技有限公司STB155N3LH6www.nowchip.com0755-27381274
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STB155N3LH6STMicroelectronicsFET - 单 DeepGATE?, STripFET? VI 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-channel 30V 0.0024 Ohm, 80 A, D2PAK1+:¥22.03
10+:¥17.82
100+:¥14.26
500+:¥12.51
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STB155N3LH6STMicroelectronicsMOSFET N-channel 30V 0.0024 Ohm, 80 A, D2PAK1:¥22.1254
10:¥18.8258
100:¥15.0629
500:¥13.1419
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STB155N3LH6STMicroelectronicsFET - 单 DeepGATE?, STripFET? VI 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-channel 30V 0.0024 Ohm, 80 A, D2PAK1+:¥22.03
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100+:¥14.26
500+:¥12.51
1000+:¥10.33
2000+:¥9.6
5000+:¥9.231+:¥17.5599
10+:¥14.25
100+:¥11.3501
500+:¥11.3501
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2000+:¥9.66
5000+:¥9.56
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25000+:¥9.331000+:¥6.611+:¥7.64