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STAC4932F /射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 300W 50V RF MOS 26dB 123MHz N-Ch
STAC4932F的规格信息
STAC4932F的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

晶体管极性:N-Channel

技术:Si

Id-连续漏极电流:1 mA

Vds-漏源极击穿电压:200 V

增益:24.6 dB

输出功率:1 kW

最小工作温度:- 65 C

最大工作温度:+ 150 C

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:STAC244F

封装:Bulk

配置:Dual Common Source

工作频率:250 MHz

系列:STAC4932F

类型:RF Power MOSFET

商标:STMicroelectronics

正向跨导 - 最小值:6 S

湿度敏感性:Yes

产品类型:RF MOSFET Transistors

工厂包装数量:80

子类别:MOSFETs

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

单位重量:2.100 g

供应商STAC4932F
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